close
تبلیغات در اینترنت
خرید هاست
جایگاه تبلیغات شماجایگاه تبلیغات شما
دانلود بررسی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اث
loading...

فایل می|دانلود پایان نامه و پروژه|فروشگاه محصولات خانگی و اداری|بازاریابی|آگهی رایگان| fileme

دانلود بررسی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدان,خرید بررسی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدان,بررسی

دانلود بررسی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدان

فروشگاه fileme بازدید : 372 دوشنبه 09 آذر 1394 نظرات ()

بررسی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدان

قیمت: 3000 تومان

دانلود پایان نامه بررسی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی

فهرست مقاله:

 

مقدمه

 

مقدمهای بر کربن و اشکال مختلف آن در طبیعت و کاربرهای آن

 

مقدمه

 

گونه های مختلف کربن در طبیعت

 

کربن بیشکل

 

الماس

 

گرافیت

 

فلورن و نانو لوله های کربنی

 

ترانزیستورهای اثر میدانی فلز اکسید نیمرسانا و ترانزیستور های اثرمیدانی نانولوله ی کربنی

 

بررسی ساختار هندسی و الکتریکی گرافیت و نانولوله های کربنی

 

ساختار الکترونی کربن

 

اربیتال p کربن

 

روش وردشی

 

هیبریداسون اربیتالهای کربن

 

ساختار هندسی گرافیت و نانولول هی کربنی

 

ساختار هندسی گرافیت

 

ساختار هندسی نانولوله های کربنی

 

یاختهی واحد گرافیت و نانولوله ی کربنی

 

یاختهی واحد صفحهی گرافیت

 

یاخته واحد نانولوله ی کربنی

 

محاسبه ساختار نواری گرافیت و نانولوله ی کربنی

 

مولکولهای محدود

 

ترازهای انرژی گرافیت

 

ترازهای انرژی نانولوله ی کربنی

 

چگالی حالات در نانولوله ی کربنی

 

و …

 

چکیده ای از مقدمه آغازین ” پایان نامه بررسی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی  ” بدین شرح است:

 

با گذر زمان و پیشرفت علم و تکنولوژی نیاز بشر به کسب اطلاعات و سرعت پردازش و ذخیره سازی آنها به صورت فزاینده¬ای بالا رفته است. گوردن مور معاون ارشد شرکت اینتل در سال ۱۹۶۵ نظریه¬ای ارائه داد مبنی بر اینکه در هر ۱۸ ماه تعداد ترانزیستورهایی که در هر تراشه به کار می¬رود دو برابر شده و اندازه آن نیز نصف می¬شود . این کوچک شدگی نگرانی¬هایی را به وجود آورده است. بر اساس این نظریه در سال ۲۰۱۰ باید ترانزیستورهایی وجود داشته باشد که ضخامت اکسید درگاه که یکی از اجزای اصلی ترانزیستور است به کمتر از یک نانومتر برسد. بنا بر این باید بررسی کرد، اکسید سیلیسیم به عنوان اکسید درگاه در ضخامت تنها کمتر از یک نانومتر انتظارات ما را در صنایع الکترونیک برآورده می¬کند یا نه. در راستای همین تحقیقات گروه دیگری از دانشمندان به بررسی نیترید سیلیکون به عنوان نامزد جدیدی برای اکسید درگاه پرداختند و نشان دادند که این ماده می تواند جایگزین مناسبی برای اکسید سیلیکون باشد . جهت تولید ترانزیستورهای نسل امروز احتیاج به دانشی داریم که بتوانیم در ابعاد نانو تولیدات صنعتی از تراشه¬ها را داشته باشیم. بنا بر این توجه جوامع علمی و اقتصادی جهان بر این شاخه از علم که به فن آوری نانو معروف است، جلب شده است. در این بین نانولوله¬های کربنی به دلیل خواص منحصر به فرد الکتریکی و مکانیکی که از خود نشان داده اند توجه بسیاری از دانشمندان را به خود جلب کرده¬اند. در راستای این تحقیقات ما به بررسی خواص الکتریکی نانولوله¬های کربنی پرداخته¬ایم. بسیاری از دانشمندان بر این باور هستند که نانولوله¬های کربنی به دلیل قابلیت رسانش ویژه یک بعدی جای مواد سیلیکونی در تراشه¬های نسل آینده را خواهند گرفت


به صورت آنلاين خريد كنيد لينك دانلود محصول به شما نشان داده خواهد شد

خرید        سوال از فروشنده

محبوب کن - فیس نما شبکه اجتماعی ایران نگاه
محصولات مرتبط
ارسال نظر برای این مطلب

نام
ایمیل (منتشر نمی‌شود) (لازم)
وبسایت
:) :( ;) :D ;)) :X :? :P :* =(( :O @};- :B /:) :S
نظر خصوصی
مشخصات شما ذخیره شود ؟ [حذف مشخصات] [شکلک ها]
کد امنیتیرفرش کد امنیتی
تبلیغات
پذیرش تبلیغات از طریق بخش تماس با ما
درباره فایل می
سلام / به فروشگاه دانشجویی خوش آمدید/ این فروشگاه بر گرفته از محصولات سایت های معتبر برای دانشجویان و مشتریان گرامی می باشد/
ورود به سایت
نام کاربری :
رمز عبور :
  • فراموشی رمز عبور؟
  • آرشیو محصولات
    آمار فروشگاه
  • کل مطالب : 851
  • کل نظرات : 1
  • افراد آنلاین : 3
  • تعداد اعضا : 0
  • بازدید هفته : 910
  • بازدید ماه : 27,507
  • بازدید سال : 353,530
  • بازدید کلی : 884,697